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PMGD370XN,115

PMGD370XN,115

僅供參考

型號 PMGD370XN,115
PNEDA編號 PMGD370XN-115
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMGD370XN資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMGD370XN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMGD370XN, PMGD370XN數據表 (總頁數: 13, 大小: 201.91 KB)
PDFPMGD370XN數據表 封面
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PMGD370XN規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)740mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs440mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.65nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds37pF @ 25V
功率-最大410mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3241pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

550mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.392nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

940mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 10V

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