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PMPB10XNEAX

PMPB10XNEAX

僅供參考

型號 PMPB10XNEAX
PNEDA編號 PMPB10XNEAX
描述 PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMPB10XNEAX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMPB10XNEAX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMPB10XNEAX, PMPB10XNEAX數據表 (總頁數: 14, 大小: 294.39 KB)
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PMPB10XNEAX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID0.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.175nF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN2020MD-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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NVMYS2D2N06CLTWG

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制造商

ON Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 185A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 134W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-

功耗(最大值)

3.57W (Ta), 26.5W (Tc)

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