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PMPB23XNEAX

PMPB23XNEAX

僅供參考

型號 PMPB23XNEAX
PNEDA編號 PMPB23XNEAX
描述 PMPB23XNEA/SOT1220/SOT1220
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMPB23XNEAX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMPB23XNEAX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMPB23XNEAX, PMPB23XNEAX數據表 (總頁數: 14, 大小: 295.08 KB)
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PMPB23XNEAX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID0.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1.136nF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN2020MD-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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Vishay Siliconix

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 51A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK9209-40B,118

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3619pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 185°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.92mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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