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PMT200EPEAX

PMT200EPEAX

僅供參考

型號 PMT200EPEAX
PNEDA編號 PMT200EPEAX
描述 MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMT200EPEAX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMT200EPEAX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PMT200EPEAX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)70V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs167mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds822pF @ 35V
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-73
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

415W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

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