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PMV50UPE,215

PMV50UPE,215

僅供參考

型號 PMV50UPE,215
PNEDA編號 PMV50UPE-215
描述 MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 23,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV50UPE資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV50UPE,215
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV50UPE, PMV50UPE數據表 (總頁數: 14, 大小: 721.99 KB)
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PMV50UPE規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs66mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds24pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

547pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.4A (Ta), 101A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 93.75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

136W (Tc)

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