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PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

僅供參考

型號 PMWD26UN,518
PNEDA編號 PMWD26UN-518
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 14 - 三月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMWD26UN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMWD26UN,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMWD26UN, PMWD26UN數據表 (總頁數: 12, 大小: 89.76 KB)
PDFPMWD26UN數據表 封面
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PMWD26UN規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1366pF @ 16V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

163A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22400pF @ 25V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

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