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PMXB43UNEZ

PMXB43UNEZ

僅供參考

型號 PMXB43UNEZ
PNEDA編號 PMXB43UNEZ
描述 MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 36,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMXB43UNEZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMXB43UNEZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMXB43UNEZ, PMXB43UNEZ數據表 (總頁數: 15, 大小: 729.13 KB)
PDFPMXB43UNEZ數據表 封面
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PMXB43UNEZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs54mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds551pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)400mW (Ta), 8.33W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN1010D-3
包裝/箱3-XDFN Exposed Pad

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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