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PMZ600UNELYL

PMZ600UNELYL

僅供參考

型號 PMZ600UNELYL
PNEDA編號 PMZ600UNELYL
描述 20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMZ600UNELYL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMZ600UNELYL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMZ600UNELYL, PMZ600UNELYL數據表 (總頁數: 15, 大小: 719.92 KB)
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PMZ600UNELYL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds21.3pF @ 10V
FET功能Standard
功耗(最大值)2.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN1006-3
包裝/箱SC-101, SOT-883

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

515nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

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