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PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL

僅供參考

型號 PMZB1200UPEYL
PNEDA編號 PMZB1200UPEYL
描述 MOSFET P-CH 30V SOT883
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 94,494
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMZB1200UPEYL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMZB1200UPEYL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMZB1200UPEYL, PMZB1200UPEYL數據表 (總頁數: 15, 大小: 703.21 KB)
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PMZB1200UPEYL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)410mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds43.2pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)310mW (Ta), 1.67W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN1006B-3
包裝/箱3-XFDFN

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2000nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

Module

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

82W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

96mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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