PQMD3Z
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| 型號 | PQMD3Z |
| PNEDA編號 | PQMD3Z |
| 描述 | TRANS NPN/PNP RET 6DFN |
| 制造商 | Nexperia |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,668 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸) |
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PQMD3Z資源
| 品牌 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | PQMD3Z |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 |
| 數據表 |
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PQMD3Z規格
| 制造商 | Nexperia USA Inc. |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 晶體管類型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻-基本（R1） | 10kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | 10kOhms |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 1µA |
| 頻率-過渡 | 230MHz, 180MHz |
| 功率-最大 | 230mW |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 供應商設備包裝 | DFN1010B-6 |
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1kOhms 電阻-發射極基（R2） 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 70 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 420mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
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