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PSMN1R1-30PL,127

PSMN1R1-30PL,127

僅供參考

型號 PSMN1R1-30PL,127
PNEDA編號 PSMN1R1-30PL-127
描述 MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 14,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN1R1-30PL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN1R1-30PL,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN1R1-30PL, PSMN1R1-30PL數據表 (總頁數: 14, 大小: 743.92 KB)
PDFPSMN1R1-30PL數據表 封面
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PSMN1R1-30PL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs243nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14850pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)338W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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Renesas Electronics America

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Diodes Incorporated

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

424pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3070pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

254mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

81pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

342mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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