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PSMN2R1-60CSJ

PSMN2R1-60CSJ

僅供參考

型號 PSMN2R1-60CSJ
PNEDA編號 PSMN2R1-60CSJ
描述 MOSFET N-CH 60V D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN2R1-60CSJ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN2R1-60CSJ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PSMN2R1-60CSJ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7110pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

296W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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