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PSMN3R3-60PLQ

PSMN3R3-60PLQ

僅供參考

型號 PSMN3R3-60PLQ
PNEDA編號 PSMN3R3-60PLQ
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 27,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN3R3-60PLQ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN3R3-60PLQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN3R3-60PLQ, PSMN3R3-60PLQ數據表 (總頁數: 13, 大小: 728.99 KB)
PDFPSMN3R3-60PLQ數據表 封面
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PSMN3R3-60PLQ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10115pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)293W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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