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PSMN3R4-30BL,118

PSMN3R4-30BL,118

僅供參考

型號 PSMN3R4-30BL,118
PNEDA編號 PSMN3R4-30BL-118
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 34,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN3R4-30BL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN3R4-30BL,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN3R4-30BL, PSMN3R4-30BL數據表 (總頁數: 15, 大小: 808.48 KB)
PDFPSMN3R4-30BL數據表 封面
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PSMN3R4-30BL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.15V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3907pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)114W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.98mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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