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PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ

僅供參考

型號 PSMN4R8-100BSEJ
PNEDA編號 PSMN4R8-100BSEJ
描述 MOSFET N-CH 100V D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 16,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN4R8-100BSEJ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN4R8-100BSEJ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN4R8-100BSEJ, PSMN4R8-100BSEJ數據表 (總頁數: 13, 大小: 783.12 KB)
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PSMN4R8-100BSEJ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs278nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14400pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)405W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32.3A (Ta), 109A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3030pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 56.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

264nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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