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PSMN9R5-100XS,127

PSMN9R5-100XS,127

僅供參考

型號 PSMN9R5-100XS,127
PNEDA編號 PSMN9R5-100XS-127
描述 MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN9R5-100XS資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN9R5-100XS,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN9R5-100XS, PSMN9R5-100XS數據表 (總頁數: 16, 大小: 357.86 KB)
PDFPSMN9R5-100XS數據表 封面
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PSMN9R5-100XS規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4454pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)52.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

96A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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