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PUMT1,115

PUMT1,115

僅供參考

型號 PUMT1,115
PNEDA編號 PUMT1-115
描述 TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 26,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMT1資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMT1,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
PUMT1, PUMT1數據表 (總頁數: 7, 大小: 273.33 KB)
PDFPUMT1數據表 封面
PUMT1數據表 頁面 2 PUMT1數據表 頁面 3 PUMT1數據表 頁面 4 PUMT1數據表 頁面 5 PUMT1數據表 頁面 6 PUMT1數據表 頁面 7

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PUMT1規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA / 600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V / 120 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

150MHz, 130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

115mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1A, 2V

功率-最大

653mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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