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QMP29GL01GP11FFSS80

QMP29GL01GP11FFSS80

僅供參考

型號 QMP29GL01GP11FFSS80
PNEDA編號 QMP29GL01GP11FFSS80
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QMP29GL01GP11FFSS80資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QMP29GL01GP11FFSS80
類別半導體內存IC內存

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QMP29GL01GP11FFSS80規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-P
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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