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QS5U36TR

QS5U36TR

僅供參考

型號 QS5U36TR
PNEDA編號 QS5U36TR
描述 MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS5U36TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS5U36TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
QS5U36TR, QS5U36TR數據表 (總頁數: 11, 大小: 977.17 KB)
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QS5U36TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs81mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.25W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT5
包裝/箱SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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140mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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