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QSH29TR

QSH29TR

僅供參考

型號 QSH29TR
PNEDA編號 QSH29TR
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QSH29TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QSH29TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
QSH29TR, QSH29TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,028.26 KB)
PDFQSH29TR數據表 封面
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QSH29TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)70V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce500 @ 200mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大1.25W
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

187mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 1kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

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Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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