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QST9TR

QST9TR

僅供參考

型號 QST9TR
PNEDA編號 QST9TR
描述 TRANS 2PNP 30V 1A 6TSMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QST9TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QST9TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QST9TR, QST9TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,184.21 KB)
PDFQST9TR數據表 封面
QST9TR數據表 頁面 2 QST9TR數據表 頁面 3 QST9TR數據表 頁面 4 QST9TR數據表 頁面 5 QST9TR數據表 頁面 6 QST9TR數據表 頁面 7 QST9TR數據表 頁面 8 QST9TR數據表 頁面 9

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QST9TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

10-SIP

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TT Electronics/Optek Technology

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA, 600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 500mA, 2V

功率-最大

510mW

頻率-過渡

165MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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晶體管類型

4 PNP (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 10mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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