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QSX7TR

QSX7TR

僅供參考

型號 QSX7TR
PNEDA編號 QSX7TR
描述 TRANS 2NPN 12V 1.5A 6TSMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QSX7TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QSX7TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QSX7TR, QSX7TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,310.36 KB)
PDFQSX7TR數據表 封面
QSX7TR數據表 頁面 2 QSX7TR數據表 頁面 3 QSX7TR數據表 頁面 4 QSX7TR數據表 頁面 5 QSX7TR數據表 頁面 6 QSX7TR數據表 頁面 7 QSX7TR數據表 頁面 8

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QSX7TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 5mA, 4V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

2.5GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

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