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R1LP5256ESA-5SI#B0

R1LP5256ESA-5SI#B0

僅供參考

型號 R1LP5256ESA-5SI#B0
PNEDA編號 R1LP5256ESA-5SI-B0
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LP5256ESA-5SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LP5256ESA-5SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
R1LP5256ESA-5SI#B0, R1LP5256ESA-5SI#B0數據表 (總頁數: 15, 大小: 239.19 KB)
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R1LP5256ESA-5SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

供應商設備包裝

32-SOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

93LC76C-I/ST

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

CY7C2264XV18-450BZXC

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內存類型

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內存格式

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

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