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R1LP5256ESP-7SR#S0

R1LP5256ESP-7SR#S0

僅供參考

型號 R1LP5256ESP-7SR#S0
PNEDA編號 R1LP5256ESP-7SR-S0
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LP5256ESP-7SR#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LP5256ESP-7SR#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LP5256ESP-7SR#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
供應商設備包裝28-SOP

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

20-SOIC

AT24C256N-10SC-2.7

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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