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R1LV0108ESF-7SR#S0

R1LV0108ESF-7SR#S0

僅供參考

型號 R1LV0108ESF-7SR#S0
PNEDA編號 R1LV0108ESF-7SR-S0
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0108ESF-7SR#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0108ESF-7SR#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0108ESF-7SR#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP (8x20)

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

96ns

訪問時間

96ns

電壓-供電

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