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R1LV0216BSB-5SI#B1

R1LV0216BSB-5SI#B1

僅供參考

型號 R1LV0216BSB-5SI#B1
PNEDA編號 R1LV0216BSB-5SI-B1
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 8,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0216BSB-5SI#B1資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0216BSB-5SI#B1
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0216BSB-5SI#B1規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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