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R1LV0816ASB-5SI#S0

R1LV0816ASB-5SI#S0

僅供參考

型號 R1LV0816ASB-5SI#S0
PNEDA編號 R1LV0816ASB-5SI-S0
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0816ASB-5SI#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0816ASB-5SI#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0816ASB-5SI#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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