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R1LV1616RSD-5SI#B0

R1LV1616RSD-5SI#B0

僅供參考

型號 R1LV1616RSD-5SI#B0
PNEDA編號 R1LV1616RSD-5SI-B0
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 52TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價
1 ---------- $358.1903
50 ---------- $341.4002
100 ---------- $324.6100
200 ---------- $307.8198
400 ---------- $293.8280
500 ---------- $279.8362
庫存 2,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV1616RSD-5SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV1616RSD-5SI#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
R1LV1616RSD-5SI#B0, R1LV1616RSD-5SI#B0數據表 (總頁數: 18, 大小: 132.28 KB)
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R1LV1616RSD-5SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
供應商設備包裝52-TSOP II

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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