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R1LV1616RSD-7SI#B0

R1LV1616RSD-7SI#B0

僅供參考

型號 R1LV1616RSD-7SI#B0
PNEDA編號 R1LV1616RSD-7SI-B0
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 52TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV1616RSD-7SI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV1616RSD-7SI#B0
類別半導體內存IC內存

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R1LV1616RSD-7SI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
供應商設備包裝52-TSOP II

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

15ms, 7ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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