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R1RP0408DGE-0PI#B0

R1RP0408DGE-0PI#B0

僅供參考

型號 R1RP0408DGE-0PI#B0
PNEDA編號 R1RP0408DGE-0PI-B0
描述 MICROCOMPUTER
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1RP0408DGE-0PI#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1RP0408DGE-0PI#B0
類別半導體內存IC內存

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R1RP0408DGE-0PI#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝36-SOJ

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內存類型

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

52-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

52-PLCC (19.13x19.13)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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