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R1RW0416DSB-2LR#D1

R1RW0416DSB-2LR#D1

僅供參考

型號 R1RW0416DSB-2LR#D1
PNEDA編號 R1RW0416DSB-2LR-D1
描述 IC SRAM IBIS ASYNC
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1RW0416DSB-2LR#D1資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1RW0416DSB-2LR#D1
類別半導體內存IC內存

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R1RW0416DSB-2LR#D1規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.3V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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