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R5016ANX

R5016ANX

僅供參考

型號 R5016ANX
PNEDA編號 R5016ANX
描述 MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R5016ANX資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R5016ANX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R5016ANX規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FM
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1138pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

320W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.1mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4825pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

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