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R5021ANJTL

R5021ANJTL

僅供參考

型號 R5021ANJTL
PNEDA編號 R5021ANJTL
描述 MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R5021ANJTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R5021ANJTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R5021ANJTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LPTS
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1035pF @ 700V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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