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R5F563NECDLJ#U0

R5F563NECDLJ#U0

僅供參考

型號 R5F563NECDLJ#U0
PNEDA編號 R5F563NECDLJ-U0
描述 IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TFLGA
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R5F563NECDLJ#U0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R5F563NECDLJ#U0
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
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R5F563NECDLJ#U0規格

制造商Renesas Electronics America
系列RX600
核心處理器RX
核心大小32-Bit
速度100MHz
連接性CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, SCI, SPI, USB
外圍設備DMA, LVD, POR, PWM, WDT
I / O數量78
程序存儲器大小2MB (2M x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小32K x 8
RAM大小128K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 8x10b, 14x12b; D/A 1x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-TFLGA
供應商設備包裝100-TFLGA (7x7)

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連接性

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I / O數量

53

程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

512 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 6V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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連接性

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I / O數量

46

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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連接性

I²C, SPI, UART/USART

外圍設備

POR, PWM, WDT

I / O數量

34

程序存儲器大小

32KB (32K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1.25K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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連接性

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, HLVD, I²S, POR, PWM, WDT

I / O數量

22

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 12x10/12b; D/A 1x5b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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R5F104GEANA#V0

Renesas Electronics America

制造商

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16-Bit

速度

32MHz

連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

34

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

4K x 8

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