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R6002END3TL1

R6002END3TL1

僅供參考

型號 R6002END3TL1
PNEDA編號 R6002END3TL1
描述 NCH 600V 2A POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6002END3TL1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6002END3TL1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6002END3TL1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds65pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)26W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1269pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

835pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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