R6004JNJGTL
僅供參考
| 型號 | R6004JNJGTL |
| PNEDA編號 | R6004JNJGTL |
| 描述 | R6004JNJ IS A POWER MOSFET WITH |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 23,664 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
R6004JNJGTL資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | R6004JNJGTL |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- R6004JNJGTL Datasheet
- where to find R6004JNJGTL
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor R6004JNJGTL
- R6004JNJGTL PDF Datasheet
- R6004JNJGTL Stock
- R6004JNJGTL Pinout
- Datasheet R6004JNJGTL
- R6004JNJGTL Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- R6004JNJGTL Price
- R6004JNJGTL Distributor
R6004JNJGTL規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 4A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 15V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 1.43Ohm @ 2A, 15V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 7V @ 450µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 10.5nC @ 15V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 260pF @ 100V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 60W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | LPTS (D2PAK) |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
您可能感興趣的產品
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 67A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 33nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2340pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 1.4W (Ta), 44W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 28A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.9mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 38nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3100pF @ 30V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 27.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 23.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 23nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 730pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 5W (Ta), 35.7W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 包裝/箱 8-PowerTDFN |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 300mOhm @ 5.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 35nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 575pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 82W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
