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R6006JNXC7G

R6006JNXC7G

僅供參考

型號 R6006JNXC7G
PNEDA編號 R6006JNXC7G
描述 NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
制造商 Rohm Semiconductor
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庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6006JNXC7G資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6006JNXC7G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6006JNXC7G規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)15V
Rds On(Max)@ Id,Vgs936mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID7V @ 800µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.5nC @ 15V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds410pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)43W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FM
包裝/箱TO-220-2 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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