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R6011KNX

R6011KNX

僅供參考

型號 R6011KNX
PNEDA編號 R6011KNX
描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 11,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6011KNX資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6011KNX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6011KNX規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)53W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FM
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1520pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

84W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 36µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

50W (Tc)

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