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R6020ENZ1C9

R6020ENZ1C9

僅供參考

型號 R6020ENZ1C9
PNEDA編號 R6020ENZ1C9
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO247
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6020ENZ1C9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6020ENZ1C9
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
R6020ENZ1C9, R6020ENZ1C9數據表 (總頁數: 13, 大小: 909.94 KB)
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R6020ENZ1C9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

425mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

344pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

338nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

181W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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