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R6020KNX

R6020KNX

僅供參考

型號 R6020KNX
PNEDA編號 R6020KNX
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6020KNX資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6020KNX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6020KNX規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 25V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FM
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1952pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

365pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

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FET功能

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