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R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

僅供參考

型號 R6020KNZ1C9
PNEDA編號 R6020KNZ1C9
描述 NCH 600V 20A POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,036
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6020KNZ1C9資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6020KNZ1C9
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6020KNZ1C9規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)231W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

143W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.6A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1344pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

720mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Vgs(最大)

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