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R6024ENZC8

R6024ENZC8

僅供參考

型號 R6024ENZC8
PNEDA編號 R6024ENZC8
描述 MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6024ENZC8資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6024ENZC8
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
R6024ENZC8, R6024ENZC8數據表 (總頁數: 13, 大小: 929.52 KB)
PDFR6024ENZC8數據表 封面
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R6024ENZC8規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)120W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PF
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-92-3

包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

151W (Tc)

工作溫度

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