Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

R6507ENJTL

R6507ENJTL

僅供參考

型號 R6507ENJTL
PNEDA編號 R6507ENJTL
描述 NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 7 - 二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6507ENJTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6507ENJTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • R6507ENJTL Datasheet
  • where to find R6507ENJTL
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor R6507ENJTL
  • R6507ENJTL PDF Datasheet
  • R6507ENJTL Stock

  • R6507ENJTL Pinout
  • Datasheet R6507ENJTL
  • R6507ENJTL Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • R6507ENJTL Price
  • R6507ENJTL Distributor

R6507ENJTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LPTS
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

您可能感興趣的產品

SQA410EJ-T1_GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

13.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SC-70-6 Single

包裝/箱

PowerPAK® SC-70-6

IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolSiC™

FET類型

N-Channel

技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1.2kV

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 5.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.06nF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-4-1

包裝/箱

TO-247-4

IRL3103D1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

FETKY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IPI111N15N3GAKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

83A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 83A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 160µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3230pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO262-3

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

JANTX2N6784U

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/556

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

18-ULCC (9.14x7.49)

包裝/箱

18-CLCC

最近成交

ATMEGA2561-16AI

ATMEGA2561-16AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 256KB FLASH 64TQFP

KSH3055TF

KSH3055TF

ON Semiconductor

TRANS NPN 60V 10A DPAK

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

HEF4538BT,653

HEF4538BT,653

Nexperia

IC MONO MULTIVBRTOR DUAL 16SOIC

PEX8603-AB50NI G

PEX8603-AB50NI G

Broadcom

IC PCI EXPRESS SWITCH 136AQFN

ISL21080CIH333Z-TK

ISL21080CIH333Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 3.3V SOT23-3

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

142.6185.5106

142.6185.5106

Littelfuse

FUSE AUTOMOTIVE 10A 58VDC BLADE

AUIRF1010ZS

AUIRF1010ZS

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

MAX912ESE+

MAX912ESE+

Maxim Integrated

IC COMPARATOR LP 16-SOIC