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RC28F640P30B85B TR

RC28F640P30B85B TR

僅供參考

型號 RC28F640P30B85B TR
PNEDA編號 RC28F640P30B85B-TR
描述 IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RC28F640P30B85B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RC28F640P30B85B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
RC28F640P30B85B TR, RC28F640P30B85B TR數據表 (總頁數: 97, 大小: 1,227.85 KB)
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RC28F640P30B85B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列StrataFlash™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-EasyBGA (10x13)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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