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RCD040N25TL

RCD040N25TL

僅供參考

型號 RCD040N25TL
PNEDA編號 RCD040N25TL
描述 MOSFET N-CH 250V 4A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RCD040N25TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RCD040N25TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RCD040N25TL, RCD040N25TL數據表 (總頁數: 7, 大小: 439.91 KB)
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RCD040N25TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CPT3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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