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RD0306T-TL-H

RD0306T-TL-H

僅供參考

型號 RD0306T-TL-H
PNEDA編號 RD0306T-TL-H
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RD0306T-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RD0306T-TL-H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RD0306T-TL-H, RD0306T-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 365.12 KB)
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RD0306T-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TP-FA
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

VMD2

工作溫度-結點

125°C (Max)

FFSH1065B-F085

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

650V

電流-平均整流(Io)

11.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

421pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-247-2

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

330A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.46V @ 942A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

1575pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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