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RF4E110GNTR

RF4E110GNTR

僅供參考

型號 RF4E110GNTR
PNEDA編號 RF4E110GNTR
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RF4E110GNTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RF4E110GNTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RF4E110GNTR, RF4E110GNTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,448.46 KB)
PDFRF4E110GNTR數據表 封面
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RF4E110GNTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.3mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds504pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝HUML2020L8
包裝/箱8-PowerUDFN

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300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.55nF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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