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RFD16N05

RFD16N05

僅供參考

型號 RFD16N05
PNEDA編號 RFD16N05
描述 MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFD16N05資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFD16N05
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RFD16N05, RFD16N05數據表 (總頁數: 8, 大小: 229.27 KB)
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RFD16N05規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs47mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)72W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2116pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 132W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 3A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.6nC @ 4V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1952pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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