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RFN10B3STL

RFN10B3STL

僅供參考

型號 RFN10B3STL
PNEDA編號 RFN10B3STL
描述 DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFN10B3STL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFN10B3STL
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RFN10B3STL, RFN10B3STL數據表 (總頁數: 5, 大小: 388.66 KB)
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RFN10B3STL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)350V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 350V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPD
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

183pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

Powerex Inc.

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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