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RFUH20TB4S

RFUH20TB4S

僅供參考

型號 RFUH20TB4S
PNEDA編號 RFUH20TB4S
描述 DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 15 - 十一月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFUH20TB4S資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFUH20TB4S
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RFUH20TB4S, RFUH20TB4S數據表 (總頁數: 7, 大小: 567.08 KB)
PDFRFUH20TB4S數據表 封面
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RFUH20TB4S規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)430V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 430V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FN
工作溫度-結點150°C (Max)

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100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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60V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

0.58V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

345pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

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75V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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